产品与方案

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MOSFET 应用方案

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单P

MOSFET
应用方案

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HYG120P06LR1C2

此器件为-60V、11mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如小马达驱动，电池管理系统等应用领域。

HYG120P06LR1C2产品说明书

特性

低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

抗冲击能力强

高可靠性

稳定的工艺能力

驱动损耗低

应用

DC-DC电源板，小电机驱动

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模型