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HYG190P13NA1B
此器件为 -125V、18mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如防反接电路、BMS、DC-DC电源方案等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
BMS
此器件为 -125V、18mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件可满足如防反接电路、BMS、DC-DC电源方案等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
优势
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
BMS
