产品与方案

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SGT MOSFET

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HYG110N11LS1S

此器件为 115V、11mΩ、SOP8L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如同步整流,AC-DC/DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性性



应用

同步整流

PD电源

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模型