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SGT MOSFET

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HYG050N13NS1B6

此器件为 135V、3.8mΩ、TO-263-6L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如电池保护板等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100%  DVDS测试



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗冲击能力强



应用

锂电池保护板 

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模型