产品与方案

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MOSFET 应用方案

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双N

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HYG040ND04LS1C2

此器件为40V、5.7mΩ，PDFN5*6-8L封装对偶双芯产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足DC-DC，负载开关、锂电保护等应用。

HYG040ND04LS1C2产品说明书

特性

双芯低内阻

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

开关损耗低

抗冲击能力强

优异的导热及散热性能力

高可靠性

应用

DC-DC，负载开关、锂电保护

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